职 称：教授 研究方向：二维狄拉克半导体材料与光电子学 联系电话：18908319866 E-mail：2023002024@usc.edu.com |
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个人简介
赵洪泉，九三学社社员，bw必威西汉姆联官网教授，博士生导师。1978年9月出生于湖南湘潭，2013年从日本大阪大学产业科学研究所JSPS研究员岗位回国，2013年1月入选中国科学院半导体所“百人计划”研究员，2013年4月加入中国科学院重庆绿色智能技术研究院，建立量子信息技术研究中心，任研究员，博士生导师，中心主任。2016年8月入选中国科学院“西部青年学者A类人才”，2020年10月入选“重庆英才·名家名师”，2022年入选“重庆市青年科技领军人才”。2024年8月入职bw必威西汉姆联官网。近年来主要在二维狄拉克半导体材料及其光电子学方向开展研究工作。
在Research、Advanced Materials，Advanced Functional Materials、Advanced Optical Materials、Nanoletters、Nanoscale、ACS AMI、Applied Surface Science、Physical Review A等国际一流SCI期刊上发表论文70余篇。2013年回国以来，主持国家自然科学基金面上项目、军科委基础加强基金项目、总装领域基金项目、重庆市基础前沿重大项目、重庆市自然科学重点项目等共计12项。曾任重庆大学兼职博士生导师，湖南大学、西南大学、重庆邮电大学、湘潭大学、重庆理工大学等客座研究生导师。
近期主要论著
1. Supersensitive and Broadband Photodetectors Based on High Concentration of Er3+/Yb3+ Co-doped WS2 Monolayer，Adv. Optical Mater. 2023, 2302229. (通讯作者)
2. 2D WS2(Yb)/3D Te Mixed-Dimensional Van der Waals p–p Heterostructure with High Optoelectronic Performance，Adv. Optical Mater. 2024, 2401724. (通讯作者)
3. High photoresponse detectors based on Yb-doped monolayer WS2 nanosheets，Applied Surface Science 652, 159287, 2024. (通讯作者)
4. Tunable electronic and optical properties of WSe2/Si2H heterojunction via electric field,Phys. Scr. 99, 025986, 2024. (通讯作者)
5. Enhanced Photoluminescence and Random Lasing Emission in TiO2-Decorated FAPbBr3 Thin Films,Nanomaterials 652, 159287, 2024. (通讯作者)
6. Preparation of Mixed Few-Layer GeSe Nanosheets with High Efficiency by the Thermal Sublimation Method,ACS Applied Materials & Interfaces 15 (33), 39732-39739, 2023. (通讯作者)
7. Two-dimensional WS2/WSe2(Er) heterojunction for high performance photodetectors,Adv. Mater. Tech.DOI: 10.1002/admt.202302095, 2024. (通讯作者)
8. Broad band Modulation of two-dimensional Mo1-xWxS2by variational compositions,J. Phys. D.57, 315109, 2024. (通讯作者)
9. Significantly Improved Optoelectronic Performances of Two-Dimensional WS2(Er3+)/WSe2(Er3+) van der Waals heterojunctions,Materials Today Chemistry38, 102077, 2024. (通讯作者)
10. Engineering of vacancy defects in WS2 monolayer by rare-earth (Er, Tm, Lu) doping: A first-principles study, Phys. Status Solidi B 2300055, 2023.(通讯作者)
